SI01P10-TP Micro Commercial Co
Виробник: Micro Commercial CoDescription: MOSFET P-CH 100V 1A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 770mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 388 pF @ 40 V
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 7.38 грн |
| 6000+ | 6.81 грн |
| 9000+ | 6.13 грн |
| 30000+ | 5.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI01P10-TP Micro Commercial Co
Description: MOSFET P-CH 100V 1A SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 770mW, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 388 pF @ 40 V.
Інші пропозиції SI01P10-TP за ціною від 5.85 грн до 27.3 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI01P10-TP | Виробник : Micro Commercial Co |
Description: MOSFET P-CH 100V 1A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 770mW Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 388 pF @ 40 V |
на замовлення 52978 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| SI01P10-TP | Виробник : Micro Commercial Components |
Trans MOSFET P-CH 100V 1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 186000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|