SI1079X-T1-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SI1079X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.44 A, 0.083 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 330mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330mW
Bauform - Transistor: SC-89
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.083ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 11874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 13.79 грн |
| 500+ | 11.07 грн |
| 1000+ | 8.69 грн |
| 5000+ | 7.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI1079X-T1-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SI1079X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.44 A, 0.083 ohm, SC-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.44A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 330mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 330mW, Bauform - Transistor: SC-89, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.083ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).
Інші пропозиції SI1079X-T1-GE3 за ціною від 6.24 грн до 36.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI1079X-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix | MOSFET -30V Vds 12V Vgs SC89-6 |
на замовлення 4999 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI1079X-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI1079X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.44 A, 0.083 ohm, SC-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 330mW Bauform - Transistor: SC-89 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
на замовлення 11874 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI1079X-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| SI1079X-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -1.44A; Idm: -8A Mounting: SMD Case: SC89 Drain-source voltage: -30V Drain current: -1.44A On-state resistance: 0.14Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.33W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 26nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: -8A кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| SI1079X-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -1.44A; Idm: -8A Mounting: SMD Case: SC89 Drain-source voltage: -30V Drain current: -1.44A On-state resistance: 0.14Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.33W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 26nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: -8A |
товар відсутній |