Продукція > VISHAY SILICONIX > SI2301BDS-T1-BE3
SI2301BDS-T1-BE3

SI2301BDS-T1-BE3 Vishay Siliconix

si2301bds.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 2.5-V (G-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375 pF @ 6 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+8.1 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2301BDS-T1-BE3 Vishay Siliconix

Description: P-CHANNEL 2.5-V (G-S) MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.8A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375 pF @ 6 V.

Інші пропозиції SI2301BDS-T1-BE3 за ціною від 7.96 грн до 33.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI2301BDS-T1-BE3 SI2301BDS-T1-BE3 Виробник : Vishay Siliconix si2301bds.pdf Description: P-CHANNEL 2.5-V (G-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375 pF @ 6 V
на замовлення 3775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+30.18 грн
13+ 22.42 грн
100+ 13.47 грн
500+ 11.7 грн
1000+ 7.96 грн
Мінімальне замовлення: 10
SI2301BDS-T1-BE3 SI2301BDS-T1-BE3 Виробник : Vishay / Siliconix si2301bds.pdf MOSFET P-CHANNEL 2.5V (G-S)
на замовлення 49995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+33.87 грн
11+ 28.72 грн
100+ 18.67 грн
500+ 14.61 грн
1000+ 13.35 грн
3000+ 11.29 грн
Мінімальне замовлення: 10
SI2301BDS-T1-BE3 Виробник : Vishay si2301bds.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.2A 3-Pin SOT-23
товар відсутній
SI2301BDS-T1-BE3 Виробник : Vishay si2301bds.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.2A
товар відсутній