Продукція > VISHAY SILICONIX > SI6415DQ-T1-GE3
SI6415DQ-T1-GE3

SI6415DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix

si6415dq.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 6.5A 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+52.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI6415DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 30V 6.5A 8TSSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 6.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min), Supplier Device Package: 8-TSSOP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V.

Інші пропозиції SI6415DQ-T1-GE3 за ціною від 49.55 грн до 117.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI6415DQ-T1-GE3 SI6415DQ-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si6415dq.pdf MOSFET 30V 6.5A 1.5W 19mohm @ 10V
на замовлення 7633 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+113.15 грн
10+ 94.72 грн
100+ 67.75 грн
250+ 65.5 грн
500+ 57.66 грн
1000+ 50.82 грн
3000+ 49.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
SI6415DQ-T1-GE3 SI6415DQ-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si6415dq.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 6.5A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
на замовлення 5069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+117.84 грн
10+ 93.96 грн
100+ 74.8 грн
500+ 59.4 грн
1000+ 50.4 грн
Мінімальне замовлення: 3
SI6415DQ-T1-GE3 SI6415DQ-T1-GE3 Виробник : Vishay 70639.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 6.5A 8-Pin TSSOP T/R
товар відсутній
SI6415DQ-T1-GE3 Виробник : VISHAY si6415dq.pdf SI6415DQ-T1-GE3 SMD P channel transistors
товар відсутній