SI7113DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 13.2A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 50 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 44.52 грн |
| 6000+ | 40.83 грн |
| 9000+ | 38.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7113DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI7113DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13.2 A, 0.119 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 52W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.119ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції SI7113DN-T1-GE3 за ціною від 40.37 грн до 128.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7113DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 3.5A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI7113DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 3.5A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI7113DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 3.5A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI7113DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3.5A; Idm: -20A; 33W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -3.5A Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 33W Case: PowerPAK® 1212-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.134Ω Mounting: SMD Gate charge: 55nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 2795 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI7113DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 100V 13.2A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 50 V |
на замовлення 11211 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI7113DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET -100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 |
на замовлення 137623 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI7113DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3.5A; Idm: -20A; 33W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -3.5A Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 33W Case: PowerPAK® 1212-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.134Ω Mounting: SMD Gate charge: 55nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2795 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI7113DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 3.5A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI7113DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7113DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13.2 A, 0.119 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.119ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 20851 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI7113DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 3.5A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
товар відсутній |