SI7114DN-T1-E3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 11.7A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 18.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 50.33 грн |
| 6000+ | 46.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7114DN-T1-E3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 11.7A PPAK1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 18.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V.
Інші пропозиції SI7114DN-T1-E3 за ціною від 47.88 грн до 165.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI7114DN-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 11.7A PPAK1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 18.3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V |
на замовлення 9901 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI7114DN-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 30V 18.3A 3.8W 7.5mohm @ 10V |
на замовлення 17506 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SI7114DN-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
08+ |
на замовлення 1310 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| SI7114DN-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 18.3A; Idm: 60A Mounting: SMD Power dissipation: 3.8W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 19nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 60A Case: PowerPAK® 1212-8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 18.3A On-state resistance: 10mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| SI7114DN-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 18.3A; Idm: 60A Mounting: SMD Power dissipation: 3.8W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 19nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 60A Case: PowerPAK® 1212-8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 18.3A On-state resistance: 10mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |