SIHA100N60E-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHA100N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.086 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.086ohm
Description: VISHAY - SIHA100N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.086 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.086ohm
на замовлення 835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 298.06 грн |
10+ | 221.31 грн |
100+ | 178.84 грн |
500+ | 150.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHA100N60E-GE3 VISHAY
Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 13A, 10V, Power Dissipation (Max): 35W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220 Full Pack, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1851 pF @ 100 V.
Інші пропозиції SIHA100N60E-GE3 за ціною від 162.08 грн до 348.74 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SIHA100N60E-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Full Pack Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1851 pF @ 100 V |
на замовлення 912 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SIHA100N60E-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix | MOSFET 600V Vds; +/-30V Vgs Thin-Lead TO-220 |
на замовлення 478 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SIHA100N60E-GE3 | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
SIHA100N60E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; Idm: 73A; 35W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 8A Pulsed drain current: 73A Power dissipation: 35W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 50nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
SIHA100N60E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; Idm: 73A; 35W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 8A Pulsed drain current: 73A Power dissipation: 35W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 50nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |