SIHA17N80E-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 800V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2408 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 162.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHA17N80E-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIHA17N80E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 15 A, 0.25 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 35W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 35W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.25ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Інші пропозиції SIHA17N80E-GE3 за ціною від 158.4 грн до 398.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHA17N80E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIHA17N80E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 15 A, 0.25 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 35W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 35W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: E productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.25ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 851 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SIHA17N80E-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 800V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Full Pack Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2408 pF @ 100 V |
на замовлення 1980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SIHA17N80E-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET N-CHANNEL 800V |
на замовлення 970 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SIHA17N80E-GE3 | Виробник : Vishay |
E Series Power MOSFET |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| SIHA17N80E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4A; Idm: 45A; 35W; TO220FP Mounting: THT Gate charge: 122nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 45A Case: TO220FP Drain-source voltage: 800V Drain current: 4A On-state resistance: 0.29Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 35W Polarisation: unipolar Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| SIHA17N80E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4A; Idm: 45A; 35W; TO220FP Mounting: THT Gate charge: 122nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 45A Case: TO220FP Drain-source voltage: 800V Drain current: 4A On-state resistance: 0.29Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 35W Polarisation: unipolar Kind of package: tube |
товар відсутній |