Продукція > VISHAY > SIJ450DP-T1-GE3
SIJ450DP-T1-GE3

SIJ450DP-T1-GE3 VISHAY

3213179.pdf Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIJ450DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 113 A, 0.00155 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 113A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 48W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00155ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00155ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 14970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+66.92 грн
500+ 51.34 грн
1000+ 37.43 грн
3000+ 36.98 грн
6000+ 36.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIJ450DP-T1-GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SIJ450DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 113 A, 0.00155 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 45V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 113A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 48W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 48W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00155ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00155ohm, SVHC: No SVHC (19-Jan-2021).

Інші пропозиції SIJ450DP-T1-GE3 за ціною від 34.74 грн до 108.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SIJ450DP-T1-GE3 SIJ450DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sij450dp.pdf Description: N-CHANNEL 45 V (D-S) MOSFET POWE
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+97.72 грн
10+ 84 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIJ450DP-T1-GE3 SIJ450DP-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sij450dp.pdf MOSFET N-CHANNEL 45-V (D-S)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+98.42 грн
10+ 79.45 грн
100+ 53.61 грн
500+ 45.44 грн
1000+ 37.07 грн
3000+ 35.4 грн
9000+ 34.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIJ450DP-T1-GE3 SIJ450DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY 3213179.pdf Description: VISHAY - SIJ450DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 113 A, 0.00155 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 113A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00155ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 14970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+108.79 грн
10+ 91.65 грн
100+ 66.92 грн
500+ 51.34 грн
1000+ 37.43 грн
3000+ 36.98 грн
6000+ 36.28 грн
Мінімальне замовлення: 7
SIJ450DP-T1-GE3 SIJ450DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sij450dp.pdf Description: N-CHANNEL 45 V (D-S) MOSFET POWE
товар відсутній