Продукція > VISHAY > SIJH112E-T1-GE3
SIJH112E-T1-GE3

SIJH112E-T1-GE3 VISHAY

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIJH112E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 225 A, 0.0023 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 225A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 333W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 5354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+216.58 грн
500+ 155.21 грн
2000+ 150.1 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIJH112E-T1-GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SIJH112E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 225 A, 0.0023 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 225A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 333W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 333W, Bauform - Transistor: PowerPAK, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm, SVHC: No SVHC (19-Jan-2021).

Інші пропозиції SIJH112E-T1-GE3 за ціною від 140.16 грн до 353.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SIJH112E-T1-GE3 SIJH112E-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix MOSFET N-CHANNEL 100V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 6828 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+304.56 грн
10+ 255.14 грн
25+ 215.88 грн
100+ 180.68 грн
250+ 176.03 грн
500+ 162.74 грн
1000+ 140.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIJH112E-T1-GE3 SIJH112E-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 100V 23A/225A PPAK
на замовлення 1720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+317.6 грн
10+ 274.49 грн
100+ 224.88 грн
500+ 179.65 грн
1000+ 151.51 грн
SIJH112E-T1-GE3 SIJH112E-T1-GE3 Виробник : VISHAY Description: VISHAY - SIJH112E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 225 A, 0.0023 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 225A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 333W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 5354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+353.95 грн
10+ 285.4 грн
25+ 259.32 грн
100+ 216.58 грн
500+ 155.21 грн
2000+ 150.1 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIJH112E-T1-GE3 Виробник : VISHAY SIJH112E-T1-GE3 SMD N channel transistors
товар відсутній
SIJH112E-T1-GE3 SIJH112E-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 100V 23A/225A PPAK
товар відсутній