SIJH5800E-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 80 V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 302A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7730 pF @ 40 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 203.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIJH5800E-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) 175C MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 8 x 8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 302A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7730 pF @ 40 V.
Інші пропозиції SIJH5800E-T1-GE3 за ціною від 194.89 грн до 453.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SIJH5800E-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) 175C MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 8 x 8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 302A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7730 pF @ 40 V |
на замовлення 4025 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIJH5800E-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET N-Channel 80 V (D-S) 175C MOSFET, 1.35 mO 10V 1.58 mO 7.5V |
на замовлення 628 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SIJH5800E-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 80V 30A T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| SIJH5800E-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 302A; Idm: 500A Kind of package: reel; tape On-state resistance: 1.58mΩ Type of transistor: N-MOSFET Case: PowerPAK® 8x8L Power dissipation: 333W Polarisation: unipolar Mounting: SMD Gate charge: 155nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 500A Drain-source voltage: 80V Drain current: 302A кількість в упаковці: 2000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| SIJH5800E-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 302A; Idm: 500A Kind of package: reel; tape On-state resistance: 1.58mΩ Type of transistor: N-MOSFET Case: PowerPAK® 8x8L Power dissipation: 333W Polarisation: unipolar Mounting: SMD Gate charge: 155nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 500A Drain-source voltage: 80V Drain current: 302A |
товар відсутній |