Продукція > VISHAY SILICONIX > SIR124DP-T1-RE3
SIR124DP-T1-RE3

SIR124DP-T1-RE3 Vishay Siliconix

sir124dp.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 16.1A/56.8A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Ta), 56.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1666 pF @ 40 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+28.07 грн
6000+ 25.74 грн
9000+ 24.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIR124DP-T1-RE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 80V 16.1A/56.8A PPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Ta), 56.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1666 pF @ 40 V.

Інші пропозиції SIR124DP-T1-RE3 за ціною від 26.95 грн до 74.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SIR124DP-T1-RE3 SIR124DP-T1-RE3 Виробник : Vishay Siliconix sir124dp.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 16.1A/56.8A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Ta), 56.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1666 pF @ 40 V
на замовлення 12323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+67.54 грн
10+ 53.42 грн
100+ 41.59 грн
500+ 33.08 грн
1000+ 26.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
SIR124DP-T1-RE3 SIR124DP-T1-RE3 Виробник : Vishay Semiconductors sir124dp.pdf MOSFET 80V Vds; 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 17558 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+74.63 грн
10+ 66 грн
100+ 44.77 грн
500+ 37 грн
1000+ 36.53 грн
Мінімальне замовлення: 5
SIR124DP-T1-RE3 Виробник : VISHAY sir124dp.pdf SIR124DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товар відсутній