SIR402DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors
на замовлення 10490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 130.97 грн |
| 10+ | 106.95 грн |
| 100+ | 75.06 грн |
| 250+ | 68.42 грн |
| 500+ | 62.37 грн |
| 1000+ | 53.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIR402DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8.
Інші пропозиції SIR402DP-T1-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| SIR402DP-T1-GE3 |
 |
на замовлення 200000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
| SIR402DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
SIR402DP-T1-GE3 SMD N channel transistors |
товар відсутній |
||
 |
SIR402DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8 |
товар відсутній |
|
|
|
SIR402DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8 |
товар відсутній |