Продукція > VISHAY > SIS862ADN-T1-GE3
SIS862ADN-T1-GE3

SIS862ADN-T1-GE3 Vishay

sis862adn.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 15.8A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+23.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIS862ADN-T1-GE3 Vishay

Description: MOSFET N-CH 60V 15.8A/52A PPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta), 52A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 30 V.

Інші пропозиції SIS862ADN-T1-GE3 за ціною від 20.16 грн до 67.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SIS862ADN-T1-GE3 SIS862ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sis862adn.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 15.8A/52A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 30 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+23.87 грн
6000+ 21.77 грн
9000+ 20.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIS862ADN-T1-GE3 SIS862ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sis862adn.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 15.8A/52A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 30 V
на замовлення 12703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+62.51 грн
10+ 52.38 грн
100+ 36.29 грн
500+ 28.46 грн
1000+ 24.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
SIS862ADN-T1-GE3 SIS862ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sis862adn.pdf MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
на замовлення 60223 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+67.03 грн
10+ 57.06 грн
100+ 34.01 грн
500+ 28.36 грн
1000+ 24.11 грн
3000+ 20.66 грн
6000+ 20.53 грн
Мінімальне замовлення: 5
SIS862ADN-T1-GE3 Виробник : VISHAY sis862adn.pdf SIS862ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товар відсутній