SIS892DN-T1-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIS892DN-T1-GE3 - MOSFET, N CHANNEL, 100V, 30A, POWERPAK 1
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
directShipCharge: 25
SVHC: Lead
Description: VISHAY - SIS892DN-T1-GE3 - MOSFET, N CHANNEL, 100V, 30A, POWERPAK 1
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
directShipCharge: 25
SVHC: Lead
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 58.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIS892DN-T1-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIS892DN-T1-GE3 - MOSFET, N CHANNEL, 100V, 30A, POWERPAK 1, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Surface Mount, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - Unlimited, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 52W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: N Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm, directShipCharge: 25, SVHC: Lead.
Інші пропозиції SIS892DN-T1-GE3
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
SIS892DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8 |
на замовлення 3947 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||
SIS892DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix | MOSFET 100V 30A 43W 29 mohms @ 10V |
на замовлення 1815 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
||
SIS892DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||
SIS892DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY | SIS892DN-T1-GE3 SMD N channel transistors |
товар відсутній |