Продукція > VISHAY > SIS892DN-T1-GE3
SIS892DN-T1-GE3

SIS892DN-T1-GE3 VISHAY


2050277.pdf Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIS892DN-T1-GE3 - MOSFET, N CHANNEL, 100V, 30A, POWERPAK 1
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
directShipCharge: 25
SVHC: Lead
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+58.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIS892DN-T1-GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SIS892DN-T1-GE3 - MOSFET, N CHANNEL, 100V, 30A, POWERPAK 1, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Surface Mount, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - Unlimited, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 52W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: N Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm, directShipCharge: 25, SVHC: Lead.

Інші пропозиції SIS892DN-T1-GE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SIS892DN-T1-GE3 SIS892DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sis892dn.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8
на замовлення 3947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SIS892DN-T1-GE3 SIS892DN-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sis892dn-1145258.pdf MOSFET 100V 30A 43W 29 mohms @ 10V
на замовлення 1815 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
SIS892DN-T1-GE3 SIS892DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sis892dn.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SIS892DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY sis892dn.pdf SIS892DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товар відсутній