SISA14BDN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.38mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 917 pF @ 15 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 17.13 грн |
| 6000+ | 15.62 грн |
| 9000+ | 14.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SISA14BDN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SISA14BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 72 A, 0.0037 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30, Dauer-Drainstrom Id: 72, hazardous: false, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 45, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0037, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037, SVHC: Lead (10-Jun-2022).
Інші пропозиції SISA14BDN-T1-GE3 за ціною від 14.75 грн до 53.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SISA14BDN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SISA14BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 72 A, 0.0037 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 72 hazardous: false Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 45 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2 euEccn: NLR Verlustleistung: 45 Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0037 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SISA14BDN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 72A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.38mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 917 pF @ 15 V |
на замовлення 14025 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SISA14BDN-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET N-CH 30-V MSFT |
на замовлення 34645 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SISA14BDN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SISA14BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 72 A, 0.0037 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 72A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
на замовлення 5970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SISA14BDN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 58A; Idm: 130A; 29W Mounting: SMD Technology: TrenchFET® Power dissipation: 29W Pulsed drain current: 130A Gate-source voltage: ±20/±-16V Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 30V Drain current: 58A On-state resistance: 7.02mΩ Gate charge: 22nC Case: PowerPAK® 1212-8 Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
 |
SISA14BDN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PowerPAK 1212-PT EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| SISA14BDN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PowerPAK 1212-PT EP T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| SISA14BDN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 58A; Idm: 130A; 29W Mounting: SMD Technology: TrenchFET® Power dissipation: 29W Pulsed drain current: 130A Gate-source voltage: ±20/±-16V Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 30V Drain current: 58A On-state resistance: 7.02mΩ Gate charge: 22nC Case: PowerPAK® 1212-8 Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |