SKIIP 26GAL12T4V1 25241235 SEMIKRON DANFOSS
Виробник: SEMIKRON DANFOSSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; screw
Semiconductor structure: diode/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: Press-Fit
Mechanical mounting: screw
Case: MiniSKiiP® 2
Type of module: IGBT
Topology: boost chopper
Pulsed collector current: 600A
Collector current: 200A
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SKIIP 26GAL12T4V1 25241235 SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; screw, Semiconductor structure: diode/transistor, Max. off-state voltage: 1.2kV, Electrical mounting: Press-Fit, Mechanical mounting: screw, Case: MiniSKiiP® 2, Type of module: IGBT, Topology: boost chopper, Pulsed collector current: 600A, Collector current: 200A, Gate-emitter voltage: ±20V, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції SKIIP 26GAL12T4V1 25241235
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| SKIIP 26GAL12T4V1 25241235 | Виробник : SEMIKRON DANFOSS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; screw Semiconductor structure: diode/transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Electrical mounting: Press-Fit Mechanical mounting: screw Case: MiniSKiiP® 2 Type of module: IGBT Topology: boost chopper Pulsed collector current: 600A Collector current: 200A Gate-emitter voltage: ±20V |
товар відсутній |