SP8K24FRATB ROHM Semiconductor
на замовлення 3107 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 103.85 грн |
| 10+ | 93.96 грн |
| 100+ | 77.72 грн |
| 1000+ | 60.85 грн |
| 2500+ | 38.59 грн |
| 5000+ | 37.8 грн |
| 10000+ | 36.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SP8K24FRATB ROHM Semiconductor
Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 45V; 6A; Idm: 24A; 2W; SOP8, Mounting: SMD, Case: SOP8, Kind of package: reel; tape, Power dissipation: 2W, Pulsed drain current: 24A, Gate-source voltage: ±20V, Type of transistor: N-MOSFET x2, Drain-source voltage: 45V, Drain current: 6A, On-state resistance: 37mΩ, Gate charge: 15.4nC, Features of semiconductor devices: ESD protected gate, Polarisation: unipolar, Kind of channel: enhanced.
Інші пропозиції SP8K24FRATB
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SP8K24FRATB | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Description: 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET (CORRESP |
на замовлення 2349 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|
|
SP8K24FRATB | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET (CORRESP |
на замовлення 2349 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
 |
SP8K24FRATB | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 45V; 6A; Idm: 24A; 2W; SOP8 Mounting: SMD Case: SOP8 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 2W Pulsed drain current: 24A Gate-source voltage: ±20V Type of transistor: N-MOSFET x2 Drain-source voltage: 45V Drain current: 6A On-state resistance: 37mΩ Gate charge: 15.4nC Features of semiconductor devices: ESD protected gate Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
|
|
|
SP8K24FRATB | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET (CORRESP |
товар відсутній |
|
|
|
SP8K24FRATB | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 45V; 6A; Idm: 24A; 2W; SOP8 Mounting: SMD Case: SOP8 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 2W Pulsed drain current: 24A Gate-source voltage: ±20V Type of transistor: N-MOSFET x2 Drain-source voltage: 45V Drain current: 6A On-state resistance: 37mΩ Gate charge: 15.4nC Features of semiconductor devices: ESD protected gate Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |