на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 148.79 грн |
| 10+ | 132.15 грн |
| 100+ | 92.33 грн |
| 500+ | 75.73 грн |
| 1000+ | 63.04 грн |
| 2500+ | 60.58 грн |
| 5000+ | 58.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SP8K2HZGTB ROHM Semiconductor
Description: ROHM - SP8K2HZGTB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.021 ohm, SOP, Oberflächenmontage, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30, Dauer-Drainstrom Id: 6, Verlustleistung Pd: 2, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5, Bauform - Transistor: SOP, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.021, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: Lead (10-Jun-2022).
Інші пропозиції SP8K2HZGTB за ціною від 58.25 грн до 162.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SP8K2HZGTB | Виробник : ROHM |
 Description: ROHM - SP8K2HZGTB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.021 ohm, SOP, OberflächenmontageTransistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 6 Verlustleistung Pd: 2 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5 Bauform - Transistor: SOP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.021 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
на замовлення 1741 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|