SP8K80TB1 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 500V 0.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.5pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 55.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SP8K80TB1 Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 500V 0.5A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2W (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.5pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7Ohm @ 250mA, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-SOP, Part Status: Active.
Інші пропозиції SP8K80TB1 за ціною від 52.01 грн до 137.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SP8K80TB1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 500V 0.5A 8-Pin SOP T/R |
на замовлення 2470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SP8K80TB1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET 2N-CH 500V 0.5A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.5pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7Ohm @ 250mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Active |
на замовлення 2662 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SP8K80TB1 | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET MOSFET |
на замовлення 61 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SP8K80TB1 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 500mA; Idm: 2A; 2W; SOP8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 0.5A Pulsed drain current: 2A Power dissipation: 2W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 11.7Ω Mounting: SMD Gate charge: 3.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
SP8K80TB1 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 500mA; Idm: 2A; 2W; SOP8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 0.5A Pulsed drain current: 2A Power dissipation: 2W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 11.7Ω Mounting: SMD Gate charge: 3.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |