SPA11N60C3 Infineon Technologies
на замовлення 1331 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 230.94 грн |
| 10+ | 190.97 грн |
| 25+ | 124.88 грн |
| 100+ | 114.92 грн |
| 250+ | 95.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SPA11N60C3 Infineon Technologies
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V, Power Dissipation (Max): 33W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3-111, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V.
Інші пропозиції SPA11N60C3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| SPA11N60C3 | Виробник : INF |
 07+; |
на замовлення 69400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| SPA11N60C3 | Виробник : Infineon |
09+ |
на замовлення 135 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| SPA11N60C3 | Виробник : INFINEON |
TO-220 06+ |
на замовлення 2 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
|
SPA11N60C3 Код товару: 129255 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||
 |
SPA11N60C3 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-111 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V |
товар відсутній |