SPB100N06S2-05 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 185+ | 107.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SPB100N06S2-05 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3-2, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 25 V.
Інші пропозиції SPB100N06S2-05
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| SPB100N06S2-05 | Виробник : INFINEON |
07+ TO-263/D2-PAK |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| SPB100N06S2-05 | Виробник : INFINEON |
TO-263/D2-PAK |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
|
|
SPB100N06S2-05 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
 |
SPB100N06S2-05 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET |
товар відсутній |
|
|
|
SPB100N06S205 | Виробник : Infineon Technologies | MOSFET MOSFET |
товар відсутній |