на замовлення 359 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 102.3 грн |
| 10+ | 83.26 грн |
| 100+ | 55.93 грн |
| 500+ | 47.43 грн |
| 1000+ | 38.53 грн |
| 2000+ | 36.33 грн |
| 5000+ | 34.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SPB18P06P G Infineon Technologies
Description: SPB18P06 - 20V-250V P-CHANNEL PO, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 81.1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: PG-TO263-3-1, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V.
Інші пропозиції SPB18P06P G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| SPB18P06PG | Виробник : Infineon technologies |
 |
на замовлення 587 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
SPB18P06PG | Виробник : Infineon Technologies |
Description: SPB18P06 - 20V-250V P-CHANNEL PO Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13.2A, 10V Power Dissipation (Max): 81.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: PG-TO263-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V |
товар відсутній |