SPD09P06PLGBTMA1 Infineon Technologies
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 22.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SPD09P06PLGBTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - SPD09P06PLGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 9.7 A, 0.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 42W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm.
Інші пропозиції SPD09P06PLGBTMA1 за ціною від 23.38 грн до 109.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SPD09P06PLGBTMA1 | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - SPD09P06PLGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 9.7 A, 0.2 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm |
на замовлення 6688 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SPD09P06PLGBTMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - SPD09P06PLGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 9.7 A, 0.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm |
на замовлення 6688 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SPD09P06PLGBTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 60V 9.7A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6.8A, 10V Power Dissipation (Max): 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V |
на замовлення 5854 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SPD09P06PLGBTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET P-Ch -60V 9.7A DPAK-2 |
на замовлення 2266 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SPD09P06PLGBTMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -9.7A; 42W; PG-TO252-3 Type of transistor: P-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -9.7A Power dissipation: 42W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.25Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
на замовлення 2262 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SPD09P06PLGBTMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -9.7A; 42W; PG-TO252-3 Type of transistor: P-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -9.7A Power dissipation: 42W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.25Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2262 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SPD09P06PLGBTMA1 | Виробник : Infineon |
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 400mOhm; 9,7A; 42W; -55°C ~ 175°C; SPD09P06PLGBTMA1 SPD09P06PL G TSPD09p06pl кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 49 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
SPD09P06PLGBTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 60V 9.7A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6.8A, 10V Power Dissipation (Max): 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V |
товар відсутній |