SPF0004 Sanken Electric Company, Ltd.
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 56+ | 208.8 грн |
| 60+ | 196.93 грн |
| 200+ | 195.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SPF0004 Sanken Electric Company, Ltd.
Description: MOSFET 2N-CH 275V 6A 20HSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 20-PowerSOIC (0.295", 7.50mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2.5W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 275V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 6A, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA, Supplier Device Package: 20-HSOP, Part Status: Not For New Designs.
Інші пропозиції SPF0004 за ціною від 375.51 грн до 454.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SPF0004 | Виробник : Sanken Electric USA Inc. |
 Description: MOSFET 2N-CH 275V 6A 20HSOPPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 20-PowerSOIC (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.5W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 275V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 6A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Supplier Device Package: 20-HSOP Part Status: Not For New Designs |
на замовлення 45 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
| SPF0004 | Виробник : Sanken Electric Co. |
Dual N-channel Power MOSFET |
товар відсутній |
||||||||
| SPF0004 | Виробник : Sanken Electric USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 275V 6A 20HSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 20-PowerSOIC (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.5W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 275V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 6A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Supplier Device Package: 20-HSOP Part Status: Not For New Designs |
товар відсутній |