SPI08N80C3 Infineon Technologies
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SPI08N80C3 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 8A TO262-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 5.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 104W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 470µA, Supplier Device Package: PG-TO262-3, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V.
Інші пропозиції SPI08N80C3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| SPI08N80C3 | Виробник : Infineon technologies |
 |
на замовлення 480 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| SPI08N80C3 | Виробник : INF |
07+; |
на замовлення 32000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
SPI08N80C3 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
товар відсутній |
|
 |
SPI08N80C3 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 800V 8A TO262-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 5.1A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 470µA Supplier Device Package: PG-TO262-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V |
товар відсутній |