SPP11N60C3XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 8014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 68.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SPP11N60C3XKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3-1, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V.
Інші пропозиції SPP11N60C3XKSA1 за ціною від 83.19 грн до 237.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SPP11N60C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 7032 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SPP11N60C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 7034 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SPP11N60C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V |
на замовлення 975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SPP11N60C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 600V 11A TO220-3 |
на замовлення 274 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SPP11N60C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
SPP11N60C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
SPP11N60C3XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 125W; PG-TO220 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 7A Pulsed drain current: 33A Power dissipation: 125W Case: PG-TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
SPP11N60C3XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 125W; PG-TO220 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 7A Pulsed drain current: 33A Power dissipation: 125W Case: PG-TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |