SQ1470AEH-T1_GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT363 SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT363 SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 270000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 12.92 грн |
6000+ | 11.81 грн |
9000+ | 10.96 грн |
30000+ | 10.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQ1470AEH-T1_GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT363 SC70, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.2A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA, Supplier Device Package: SC-70-6, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 15 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції SQ1470AEH-T1_GE3 за ціною від 10.96 грн до 62.59 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SQ1470AEH-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT363 SC70 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 270848 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SQ1470AEH-T1_GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors | MOSFET 30V Vds +/-12V Vgs AEC-Q101 Qualified |
на замовлення 279799 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SQ1470AEH-T1_GE3 | Виробник : VISHAY | SQ1470AEH-T1-GE3 SMD N channel transistors |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|