Продукція > VISHAY SILICONIX > SQ1912AEEH-T1_GE3
SQ1912AEEH-T1_GE3

SQ1912AEEH-T1_GE3 Vishay Siliconix

sq1912aeeh.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+10.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQ1912AEEH-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SC70-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.5W, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1.2A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.25nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SC-70-6, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQ1912AEEH-T1_GE3 за ціною від 8.64 грн до 33.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SQ1912AEEH-T1_GE3 SQ1912AEEH-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sq1912aeeh.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+30.9 грн
11+ 25.26 грн
100+ 17.55 грн
500+ 12.86 грн
1000+ 10.45 грн
Мінімальне замовлення: 10
SQ1912AEEH-T1_GE3 SQ1912AEEH-T1_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sq1912aeeh.pdf MOSFET N Ch 20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 202932 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+33.87 грн
11+ 28.34 грн
100+ 17.2 грн
500+ 13.42 грн
1000+ 10.89 грн
3000+ 9.23 грн
9000+ 8.64 грн
Мінімальне замовлення: 10
SQ1912AEEH-T1_GE3 SQ1912AEEH-T1_GE3 Виробник : Vishay sq1912aeeh.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.8A Automotive 6-Pin SC-70 T/R
товар відсутній