на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 15.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQ3419EV-T1_GE3 Vishay
Description: VISHAY - SQ3419EV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 6.9 A, 0.048 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції SQ3419EV-T1_GE3 за ціною від 13.73 грн до 50.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQ3419EV-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 40V 6.9A 6TSOPPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SQ3419EV-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 6.9A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 358 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SQ3419EV-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQ3419EV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 6.9 A, 0.048 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 10001 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQ3419EV-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 6.9A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQ3419EV-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 6.9A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 2890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQ3419EV-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 40V 6.9A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 14855 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SQ3419EV-T1_GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET P Ch -40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified |
на замовлення 72881 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQ3419EV-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQ3419EV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 6.9 A, 0.048 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 10001 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQ3419EV-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 6.9A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 358 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
SQ3419EV-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 6.9A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
SQ3419EV-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -6.9A; Idm: -27A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -6.9A Pulsed drain current: -27A Power dissipation: 1.6W Case: TSOP6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 86mΩ Mounting: SMD Gate charge: 11.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
SQ3419EV-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -6.9A; Idm: -27A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -6.9A Pulsed drain current: -27A Power dissipation: 1.6W Case: TSOP6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 86mΩ Mounting: SMD Gate charge: 11.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry |
товар відсутній |