SQ4282EY-T1_GE3 Vishay / Siliconix
на замовлення 13836 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 104.62 грн |
| 10+ | 84.79 грн |
| 100+ | 57.06 грн |
| 500+ | 48.42 грн |
| 1000+ | 39.39 грн |
| 2500+ | 35.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQ4282EY-T1_GE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SQ4282EY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 8 A, 8 A, 0.01 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.01ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 3.9W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Produktreihe TrenchFET, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 3.9W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції SQ4282EY-T1_GE3 за ціною від 57.02 грн до 119.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQ4282EY-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8A 8SOIC |
на замовлення 710 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SQ4282EY-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQ4282EY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 8 A, 8 A, 0.01 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.01ohm Verlustleistung, p-Kanal: 3.9W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Produktreihe TrenchFET Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 3.9W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
SQ4282EY-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQ4282EY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 8 A, 8 A, 0.01 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.01ohm Verlustleistung, p-Kanal: 3.9W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Produktreihe TrenchFET Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 3.9W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
 |
SQ4282EY-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 8A Automotive 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
|||||||||||
|
|
SQ4282EY-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8A 8SOIC |
товар відсутній |