Продукція > VISHAY SILICONIX > SQ4431EY-T1_BE3
SQ4431EY-T1_BE3

SQ4431EY-T1_BE3 Vishay Siliconix

doc?65527 Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 10.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1265 pF @ 15 V
на замовлення 2493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+67.54 грн
10+ 53.14 грн
100+ 41.34 грн
500+ 32.89 грн
1000+ 26.79 грн
Мінімальне замовлення: 5
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQ4431EY-T1_BE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 30V 10.8A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 6W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1265 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SQ4431EY-T1_BE3 за ціною від 24.05 грн до 71.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SQ4431EY-T1_BE3 SQ4431EY-T1_BE3 Виробник : Vishay Semiconductors doc?65527 MOSFET P-CHANNEL 30V
на замовлення 42315 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+71.37 грн
10+ 57.52 грн
100+ 38.93 грн
500+ 33.01 грн
1000+ 26.9 грн
2500+ 25.24 грн
5000+ 24.05 грн
Мінімальне замовлення: 5
SQ4431EY-T1_BE3 SQ4431EY-T1_BE3 Виробник : Vishay Siliconix doc?65527 Description: MOSFET P-CH 30V 10.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1265 pF @ 15 V
товар відсутній