SQ4483BEEY-T1_GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CHANNEL 30V 22A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 49.78 грн |
| 5000+ | 46.14 грн |
| 12500+ | 44.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQ4483BEEY-T1_GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SQ4483BEEY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 22 A, 0.007 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 22A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 7W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 7W, Bauform - Transistor: SOIC, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.007ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції SQ4483BEEY-T1_GE3 за ціною від 46.76 грн до 131.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SQ4483BEEY-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 22A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 23793 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SQ4483BEEY-T1_GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SQ4483BEEY-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQ4483BEEY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 22 A, 0.007 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 7W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQ4483BEEY-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQ4483BEEY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 22 A, 0.007 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 7W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 7W Bauform - Transistor: SOIC Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.007ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
SQ4483BEEY-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Automotive P-Channel 30 V MOSFET |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
SQ4483BEEY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Automotive AEC-Q101 P-Channel 30 V MOSFET |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
SQ4483BEEY-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQ4483BEEY-T1_GE3 |
товар відсутній |