SQ4917EY-T1_BE3

SQ4917EY-T1_BE3 Vishay Siliconix


sq4917ey.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 60V 8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+44.14 грн
5000+ 40.91 грн
12500+ 39.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQ4917EY-T1_BE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SQ4917EY-T1"BE3 - MOSFET, DUAL, P-CH, 60V, 8A, SOIC, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 0, hazardous: false, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 0, usEccn: EAR99, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 0, Verlustleistung, p-Kanal: 0, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 0, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 0, Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0, productTraceability: No, Kanaltyp: P Channel, Verlustleistung, n-Kanal: 0, Betriebstemperatur, max.: 0, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

Інші пропозиції SQ4917EY-T1_BE3 за ціною від 39.73 грн до 115.5 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SQ4917EY-T1_BE3 SQ4917EY-T1_BE3 Виробник : Vishay sq4917ey.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
158+74.03 грн
165+ 70.72 грн
250+ 67.88 грн
500+ 63.1 грн
1000+ 56.52 грн
2500+ 52.66 грн
Мінімальне замовлення: 158
SQ4917EY-T1_BE3 SQ4917EY-T1_BE3 Виробник : Vishay sq4917ey.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
148+78.87 грн
155+ 75.21 грн
174+ 67.1 грн
200+ 62.22 грн
1000+ 52.31 грн
2000+ 48.52 грн
Мінімальне замовлення: 148
SQ4917EY-T1_BE3 SQ4917EY-T1_BE3 Виробник : Vishay sq4917ey.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
129+90.54 грн
147+ 79.42 грн
149+ 78.62 грн
219+ 51.48 грн
250+ 47.19 грн
500+ 44.85 грн
1000+ 42.79 грн
Мінімальне замовлення: 129
SQ4917EY-T1_BE3 SQ4917EY-T1_BE3 Виробник : Vishay Siliconix sq4917ey.pdf Description: MOSFET 2P-CH 60V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 22938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+97.72 грн
10+ 78.26 грн
100+ 62.32 грн
500+ 49.49 грн
1000+ 41.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
SQ4917EY-T1_BE3 SQ4917EY-T1_BE3 Виробник : Vishay sq4917ey.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+105.56 грн
10+ 84.07 грн
25+ 73.74 грн
50+ 70.39 грн
100+ 44.26 грн
250+ 42.06 грн
500+ 41.64 грн
1000+ 39.73 грн
Мінімальне замовлення: 6
SQ4917EY-T1_BE3 SQ4917EY-T1_BE3 Виробник : Vishay Semiconductors sq4917ey.pdf MOSFET Dual P-CHANNEL 60 V
на замовлення 41589 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+107.72 грн
10+ 84.03 грн
100+ 57.86 грн
250+ 56.33 грн
500+ 51.61 грн
1000+ 43.31 грн
2500+ 41.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
SQ4917EY-T1"BE3 SQ4917EY-T1"BE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0004852750-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQ4917EY-T1"BE3 - MOSFET, DUAL, P-CH, 60V, 8A, SOIC
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 0
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 0
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 0
Verlustleistung, p-Kanal: 0
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 0
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 0
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0
productTraceability: No
Kanaltyp: P Channel
Verlustleistung, n-Kanal: 0
Betriebstemperatur, max.: 0
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+115.5 грн
10+ 95.38 грн
25+ 88.67 грн
50+ 77.5 грн
100+ 65.79 грн
250+ 60.55 грн
Мінімальне замовлення: 7