SQ4949EY-T1_GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 30V 7.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 42500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 46.33 грн |
| 5000+ | 42.94 грн |
| 12500+ | 41.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQ4949EY-T1_GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 30V 7.5A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 3.3W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.9A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції SQ4949EY-T1_GE3 за ціною від 42.65 грн до 111.6 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SQ4949EY-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2P-CH 30V 7.5A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.3W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 46146 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SQ4949EY-T1_GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET Dual P-Chnl 30-V D-S AEC-Q101 Qualified |
на замовлення 34764 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SQ4949EY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 7.5A Automotive 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
 |
SQ4949EY-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 7.5A Automotive 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |