SQA405EJ-T1_GE3 VISHAY
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQA405EJ-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 10 A, 0.027 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: VISHAY - SQA405EJ-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 10 A, 0.027 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 8100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 28.02 грн |
500+ | 20.48 грн |
1000+ | 14.63 грн |
3000+ | 13.29 грн |
6000+ | 11.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQA405EJ-T1_GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SQA405EJ-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 10 A, 0.027 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 13.6W, Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції SQA405EJ-T1_GE3 за ціною від 11.56 грн до 49.78 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SQA405EJ-T1_GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors | MOSFET -40V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70 |
на замовлення 76059 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SQA405EJ-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 40V 10A PPAK SC70-6 |
на замовлення 2494 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SQA405EJ-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQA405EJ-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 10 A, 0.027 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 13.6W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 8100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SQA405EJ-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 40V 10A PPAK SC70-6 |
товар відсутній |