Продукція > VISHAY SILICONIX > SQD50N10-8m9L_GE3
SQD50N10-8m9L_GE3

SQD50N10-8m9L_GE3 Vishay Siliconix

sqd50n10-8m9l.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+51.18 грн
6000+ 47.43 грн
Мінімальне замовлення: 2000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQD50N10-8m9L_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO252AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 136W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQD50N10-8m9L_GE3 за ціною від 46.96 грн до 120.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SQD50N10-8m9L_GE3 SQD50N10-8m9L_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqd50n10-8m9l.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+113.53 грн
10+ 90.78 грн
100+ 72.26 грн
500+ 57.38 грн
1000+ 48.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
SQD50N10-8m9L_GE3 SQD50N10-8m9L_GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sqd50n10-8m9l.pdf MOSFET 100V 50A 45watt AEC-Q101 Qualified
на замовлення 22755 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+120.89 грн
10+ 99.31 грн
100+ 68.42 грн
250+ 63.04 грн
500+ 57.72 грн
1000+ 49.42 грн
2000+ 46.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
SQD50N10-8M9L-GE3 Виробник : Vishay sqd50n10-8m9l.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA
товар відсутній
SQD50N10-8M9L_GE3 SQD50N10-8M9L_GE3 Виробник : Vishay sqd50n10-8m9l.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA
товар відсутній