Продукція > VISHAY SILICONIX > SQD50P08-25L_GE3
SQD50P08-25L_GE3

SQD50P08-25L_GE3 Vishay Siliconix

sqd50p08.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 80V 50A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5350 pF @ 25 V
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+81.57 грн
6000+ 75.6 грн
Мінімальне замовлення: 2000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQD50P08-25L_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 80V 50A TO252AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 136W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5350 pF @ 25 V.

Інші пропозиції SQD50P08-25L_GE3 за ціною від 77.6 грн до 180.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SQD50P08-25L_GE3 SQD50P08-25L_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqd50p08.pdf Description: MOSFET P-CH 80V 50A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5350 pF @ 25 V
на замовлення 18062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+180.36 грн
10+ 144.68 грн
100+ 115.17 грн
500+ 91.45 грн
1000+ 77.6 грн
Мінімальне замовлення: 2
SQD50P08-25L_GE3 SQD50P08-25L_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix VISH_S_A0001223784_1-2567235.pdf MOSFET 80V 50A 136W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 15906 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)