Продукція > VISHAY SILICONIX > SQJ148EP-T1_GE3
SQJ148EP-T1_GE3

SQJ148EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

sqj148ep.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 15A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+16.64 грн
6000+ 15.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJ148EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 15A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 7A, 10V, Power Dissipation (Max): 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQJ148EP-T1_GE3 за ціною від 16.88 грн до 43.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SQJ148EP-T1_GE3 SQJ148EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj148ep.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 15A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+43.83 грн
10+ 36.53 грн
100+ 25.3 грн
500+ 19.83 грн
1000+ 16.88 грн
Мінімальне замовлення: 7
SQJ148EP-T1_GE3 SQJ148EP-T1_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqj148ep-1766475.pdf MOSFET N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)