Продукція > VISHAY SILICONIX > SQJ164ELP-T1_GE3
SQJ164ELP-T1_GE3

SQJ164ELP-T1_GE3 Vishay Siliconix

sqj164elp.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+33.1 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJ164ELP-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S), Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 187W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V.

Інші пропозиції SQJ164ELP-T1_GE3 за ціною від 27.1 грн до 80.6 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SQJ164ELP-T1_GE3 SQJ164ELP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj164elp.pdf Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+78.32 грн
10+ 67.19 грн
100+ 52.36 грн
500+ 40.59 грн
1000+ 32.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
SQJ164ELP-T1_GE3 SQJ164ELP-T1_GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sqj164elp.pdf MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 26139 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+80.6 грн
10+ 64.85 грн
100+ 43.91 грн
500+ 37.26 грн
1000+ 30.36 грн
3000+ 28.56 грн
6000+ 27.1 грн
Мінімальне замовлення: 4
SQJ164ELP-T1_GE3 Виробник : VISHAY sqj164elp.pdf SQJ164ELP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товар відсутній