Продукція > VISHAY SILICONIX > SQJ211ELP-T1_GE3
SQJ211ELP-T1_GE3

SQJ211ELP-T1_GE3 Vishay Siliconix

sqj211elp.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 33.6A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+42.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJ211ELP-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 100V 33.6A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 8A, 10V, Power Dissipation (Max): 68W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V.

Інші пропозиції SQJ211ELP-T1_GE3 за ціною від 38.06 грн до 113.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SQJ211ELP-T1_GE3 SQJ211ELP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj211elp.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 33.6A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+102.75 грн
10+ 81.23 грн
100+ 63.18 грн
500+ 50.26 грн
1000+ 40.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
SQJ211ELP-T1_GE3 SQJ211ELP-T1_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqj211elp.pdf MOSFET P-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 37816 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+113.15 грн
10+ 90.9 грн
100+ 61.44 грн
500+ 52.14 грн
1000+ 42.45 грн
3000+ 39.99 грн
6000+ 38.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
SQJ211ELP-T1_GE3 SQJ211ELP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj211elp.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 33.6A T/R
товар відсутній