Продукція > VISHAY SILICONIX > SQJ403BEEP-T1_GE3
SQJ403BEEP-T1_GE3

SQJ403BEEP-T1_GE3 Vishay Siliconix


sqj403beep.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+42.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJ403BEEP-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 68W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQJ403BEEP-T1_GE3 за ціною від 36.6 грн до 103.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SQJ403BEEP-T1_GE3 SQJ403BEEP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj403beep.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
218+53.55 грн
Мінімальне замовлення: 218
SQJ403BEEP-T1_GE3 SQJ403BEEP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj403beep.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+64.52 грн
10+ 59.26 грн
25+ 59.01 грн
100+ 50.41 грн
250+ 46.43 грн
500+ 40.69 грн
1000+ 38.64 грн
3000+ 36.6 грн
Мінімальне замовлення: 9
SQJ403BEEP-T1_GE3 SQJ403BEEP-T1_GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sqj403beep.pdf MOSFET P Ch -30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 6263 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+93 грн
10+ 77.15 грн
100+ 54.2 грн
500+ 46.83 грн
1000+ 40.32 грн
3000+ 38.39 грн
6000+ 37.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
SQJ403BEEP-T1_GE3 SQJ403BEEP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj403beep.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+103.47 грн
10+ 81.65 грн
100+ 63.49 грн
500+ 50.5 грн
1000+ 41.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
SQJ403BEEP-T1_GE3 SQJ403BEEP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj403beep.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO
товар відсутній
SQJ403BEEP-T1_GE3 SQJ403BEEP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj403beep.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO
товар відсутній