SQJ411EP-T1_GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9100 pF @ 6 V
на замовлення 2994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 84.79 грн |
| 10+ | 66.56 грн |
| 100+ | 51.74 грн |
| 500+ | 41.16 грн |
| 1000+ | 33.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQJ411EP-T1_GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 60A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 15A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 68W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9100 pF @ 6 V.
Інші пропозиції SQJ411EP-T1_GE3 за ціною від 31.02 грн до 91.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQJ411EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET -12V Vds -60A Id AEC-Q101 Qualified |
на замовлення 4758 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SQJ411EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 12V 60A Automotive 8-Pin PowerPAK SO EP |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
SQJ411EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 12V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
SQJ411EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 12V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
SQJ411EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 12V 60A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 15A, 4.5V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9100 pF @ 6 V |
товар відсутній |