Продукція > VISHAY SILICONIX > SQJ416EP-T1_GE3
SQJ416EP-T1_GE3

SQJ416EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

sqj416ep.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 27A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+67.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJ416EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 100V 27A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V.

Інші пропозиції SQJ416EP-T1_GE3 за ціною від 22.72 грн до 67.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SQJ416EP-T1_GE3 SQJ416EP-T1_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqj416ep.pdf MOSFET N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 53243 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+67.73 грн
10+ 54.85 грн
100+ 37.13 грн
500+ 31.42 грн
1000+ 25.64 грн
3000+ 22.78 грн
9000+ 22.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
SQJ416EP-T1_GE3 SQJ416EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj416ep.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 27A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товар відсутній
SQJ416EP-T1_GE3 SQJ416EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj416ep.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 27A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товар відсутній
SQJ416EP-T1_GE3 SQJ416EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj416ep.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 27A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товар відсутній
SQJ416EP-T1_GE3 SQJ416EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj416ep.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 27A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
товар відсутній