Продукція > VISHAY SILICONIX > SQJ418EP-T1_GE3
SQJ418EP-T1_GE3

SQJ418EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

sqj418ep.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 48A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+30.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJ418EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 100V 48A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 68W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQJ418EP-T1_GE3 за ціною від 28.23 грн до 82.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SQJ418EP-T1_GE3 SQJ418EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj418ep.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 48A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+74.73 грн
10+ 58.81 грн
100+ 45.77 грн
500+ 36.41 грн
1000+ 29.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
SQJ418EP-T1_GE3 SQJ418EP-T1_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqj418ep.pdf MOSFET N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 48576 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+82.15 грн
10+ 66.08 грн
100+ 44.7 грн
500+ 37.93 грн
1000+ 30.89 грн
3000+ 29.03 грн
6000+ 28.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
SQJ418EP-T1
Код товару: 147924 		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
SQJ418EP-T1_GE3 SQJ418EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj418ep.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 48A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товар відсутній
SQJ418EP-T1_GE3 SQJ418EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj418ep.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 48A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товар відсутній
SQJ418EP-T1_GE3 SQJ418EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj418ep.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 48A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товар відсутній