Продукція > VISHAY SILICONIX > SQJ423EP-T1_GE3
SQJ423EP-T1_GE3

SQJ423EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

sqj423ep.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 55A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+29.58 грн
6000+ 27.13 грн
9000+ 25.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJ423EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 40V 55A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 68W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQJ423EP-T1_GE3 за ціною від 26.24 грн до 77.5 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SQJ423EP-T1_GE3 SQJ423EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj423ep.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 55A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+71.85 грн
10+ 56.32 грн
100+ 43.83 грн
500+ 34.86 грн
1000+ 28.4 грн
Мінімальне замовлення: 4
SQJ423EP-T1_GE3 SQJ423EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sqj423ep.pdf MOSFET P Ch -40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 111632 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+77.5 грн
10+ 62.64 грн
100+ 42.38 грн
500+ 35.94 грн
1000+ 29.29 грн
3000+ 27.57 грн
6000+ 26.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
SQJ423EP-T1_GE3 SQJ423EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj423ep.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 55A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товар відсутній