SQJ431EP-T1_GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 12A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 213mOhm @ 1A, 4V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4355 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 56.86 грн |
| 6000+ | 52.7 грн |
| 9000+ | 50.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQJ431EP-T1_GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 200V 12A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 213mOhm @ 1A, 4V, Power Dissipation (Max): 83W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4355 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції SQJ431EP-T1_GE3 за ціною від 52.87 грн до 152.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQJ431EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 12A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SQJ431EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 12A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SQJ431EP-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQJ431EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 12 A, 0.178 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.178ohm |
на замовлення 19768 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQJ431EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 12A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQJ431EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 12A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQJ431EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 200V 12A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 213mOhm @ 1A, 4V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4355 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 14941 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SQJ431EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET -200v -12A 83W AEC-Q101 Qualified |
на замовлення 56827 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQJ431EP-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQJ431EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 12 A, 0.178 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.178ohm |
на замовлення 19768 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQJ431EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 12A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
SQJ431EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 12A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| SQJ431EPT1-GE3 |
на замовлення 170 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
|
|
SQJ431EP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 12A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| SQJ431EP-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -12A; Idm: -40A; 27W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -12A Pulsed drain current: -40A Power dissipation: 27W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 527mΩ Mounting: SMD Gate charge: 106nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
SQJ431EP-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT SQJ431EP-T1_GE3 |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| SQJ431EP-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -12A; Idm: -40A; 27W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -12A Pulsed drain current: -40A Power dissipation: 27W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 527mΩ Mounting: SMD Gate charge: 106nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry |
товар відсутній |