Продукція > VISHAY SILICONIX > SQJ454EP-T1_GE3
SQJ454EP-T1_GE3

SQJ454EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

sqj454ep.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 13A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+34.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJ454EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 200V 13A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 7.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 68W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQJ454EP-T1_GE3 за ціною від 27.73 грн до 108.5 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SQJ454EP-T1_GE3 SQJ454EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj454ep.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 13A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
285+40.87 грн
Мінімальне замовлення: 285
SQJ454EP-T1_GE3 SQJ454EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj454ep.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 13A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+44.84 грн
14+ 42.13 грн
100+ 38.8 грн
500+ 35.08 грн
1000+ 29.72 грн
3000+ 27.73 грн
Мінімальне замовлення: 13
SQJ454EP-T1_GE3 SQJ454EP-T1_GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0014753789-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQJ454EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 13 A, 0.118 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.118ohm
на замовлення 2893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+57.75 грн
500+ 45.39 грн
1000+ 32.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
SQJ454EP-T1_GE3 SQJ454EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj454ep.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 13A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+83.35 грн
10+ 65.73 грн
100+ 51.16 грн
500+ 40.69 грн
1000+ 33.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
SQJ454EP-T1_GE3 SQJ454EP-T1_GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0014753789-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQJ454EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 13 A, 0.118 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.118ohm
на замовлення 2893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+102.83 грн
10+ 78.99 грн
100+ 57.75 грн
500+ 45.39 грн
1000+ 32.19 грн
Мінімальне замовлення: 8
SQJ454EP-T1_GE3 SQJ454EP-T1_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqj454ep.pdf MOSFET 200V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified
на замовлення 17707 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+108.5 грн
10+ 82.5 грн
100+ 66.43 грн
24000+ 33.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
SQJ454EP-T1_GE3 SQJ454EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj454ep.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 13A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товар відсутній
SQJ454EP-T1_GE3 SQJ454EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj454ep.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 13A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товар відсутній