SQJ456EP-T1_GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3342 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 160.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQJ456EP-T1_GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 9.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 83W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3342 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції SQJ456EP-T1_GE3 за ціною від 153.57 грн до 329.1 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SQJ456EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 9.3A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3342 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 4428 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SQJ456EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 32A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
SQJ456EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
SQJ456EP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8 |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
SQJ456EP-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQJ456EP-T1_GE3 |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
SQJ456EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET 100V 32A 83W AEC-Q101 Qualified |
товар відсутній |