Продукція > VISHAY SILICONIX > SQJ457EP-T1_GE3
SQJ457EP-T1_GE3

SQJ457EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

sqj457ep.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 36A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+25.96 грн
6000+ 23.81 грн
9000+ 22.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJ457EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 60V 36A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 68W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQJ457EP-T1_GE3 за ціною від 23.05 грн до 89.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SQJ457EP-T1_GE3 SQJ457EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj457ep.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 36A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+32.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SQJ457EP-T1_GE3 SQJ457EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj457ep.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 36A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+32.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SQJ457EP-T1_GE3 SQJ457EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj457ep.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 36A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+34.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SQJ457EP-T1_GE3 SQJ457EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj457ep.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 36A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+35.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SQJ457EP-T1_GE3 SQJ457EP-T1_GE3 Виробник : VISHAY sqj457ep.pdf Description: VISHAY - SQJ457EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 36 A, 0.021 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
на замовлення 1392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+56.56 грн
500+ 51.48 грн
1000+ 46.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
SQJ457EP-T1_GE3 SQJ457EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj457ep.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 36A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
197+59.25 грн
199+ 58.66 грн
259+ 44.96 грн
262+ 42.92 грн
500+ 33.52 грн
1000+ 25.34 грн
Мінімальне замовлення: 197
SQJ457EP-T1_GE3 SQJ457EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj457ep.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 36A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 34286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+63.23 грн
10+ 49.47 грн
100+ 38.46 грн
500+ 30.59 грн
1000+ 24.92 грн
Мінімальне замовлення: 5
SQJ457EP-T1_GE3 SQJ457EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj457ep.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 36A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+67.17 грн
11+ 55.02 грн
25+ 54.47 грн
100+ 40.25 грн
250+ 36.9 грн
500+ 29.88 грн
1000+ 23.53 грн
Мінімальне замовлення: 9
SQJ457EP-T1_GE3 SQJ457EP-T1_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqj457ep.pdf MOSFET P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 134944 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+68.51 грн
10+ 55 грн
100+ 37.13 грн
500+ 31.55 грн
1000+ 25.37 грн
3000+ 24.18 грн
6000+ 23.05 грн
Мінімальне замовлення: 5
SQJ457EP-T1_GE3 SQJ457EP-T1_GE3 Виробник : VISHAY sqj457ep.pdf Description: VISHAY - SQJ457EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 36 A, 0.021 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
на замовлення 1392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+89.42 грн
12+ 65.8 грн
100+ 56.56 грн
500+ 51.48 грн
1000+ 46.56 грн
Мінімальне замовлення: 9
SQJ457EP-T1_GE3 SQJ457EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj457ep.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 36A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товар відсутній
SQJ457EP-T1_GE3 Виробник : VISHAY sqj457ep.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -36A; Idm: -100A; 22W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -36A
Pulsed drain current: -100A
Power dissipation: 22W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SQJ457EP-T1_GE3 Виробник : VISHAY sqj457ep.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -36A; Idm: -100A; 22W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -36A
Pulsed drain current: -100A
Power dissipation: 22W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
товар відсутній